Mullistava transistorirakenne kutistaa sirujen energiakulutuksen
Samsungin ja IBM:n kehittämässä uudessa rakenteessa transistoreita pinotaan päällekkäin mikropiirin pinnalle. Näin mikropiirit kykenevät jopa 85 prosenttia pienempään energian kulutukseen. Tämä mahdollistaisi esimerkiksi paluun matkapuhelimiin, joiden akku kestää viikon yhdellä latauksella.
Kalle Keinonen
15.12.2021
Teknologiayritys IBM ja elektroniikkajätti Samsung ovat kehittäneet uuden transistorirakenteen, joka mahdollistaa jopa 85 prosenttia pienemmän energiankulutuksen mikropiireissä. Yhtiöt julkistivat tuloksiaan vuosittaisessa mikro- ja nanoelektroniikkakonferenssissa San Franciscossa. Uudessa VTFET-rakenteessa (Vertical Transport Field Effect Transistors) transistorit pinotaan päällekkäin mikropiirin pinnalle. Rakenne kehitettiin Albanyn nanoteknologian tutkimuskeskuksessa New Yorkin osaval
Tilaa tai kirjaudu sisään lukeaksesi tämän artikkelin.

Suositellut

Uusimmat