Teknologiayritys IBM ja elektroniikkajätti Samsung ovat kehittäneet uuden transistorirakenteen, joka mahdollistaa jopa 85 prosenttia pienemmän energiankulutuksen mikropiireissä. Yhtiöt julkistivat tuloksiaan vuosittaisessa mikro- ja nanoelektroniikkakonferenssissa San Franciscossa. Uudessa VTFET-rakenteessa (Vertical Transport Field Effect Transistors) transistorit pinotaan päällekkäin mikropiirin pinnalle. Rakenne kehitettiin Albanyn nanoteknologian tutkimuskeskuksessa New Yorkin osavaltiossa Yhdysvalloissa.
Uutta rakennetta hyödyntävissä mikropiireissä on useita etuja. VTFET-rakenteessa virta kulkee pystysuunnassa. Tämä vaikuttaa transistoreiden kosketuspisteisiin, mikä taas mahdollistaa suuremman virran käytön ja vähentää hukkaenergian määrää.
Perinteisissä finFet-rakenteisissa mikropiireissä kaikki transistorit sijoittuvat mikropiirin pinnalle. VTFET-innovaation avulla transistoreita voidaan lisätä täysin uuteen dimensioon, mikä mahdollistaa Mooren lain jatkumisen.
Uuden mallin tavoitteena on parantaa suorituskykyä kaksinkertaiseksi tai vähentää energian kulutusta 85 prosentilla verrattuna finFET-rakenteisiin mikropiireihin.
Mikropiirin pienempi energian kulutus voisi tarkoittaa merkittäviä parannuksia: Matkapuhelimien akut voisivat kestää yli viikon ilman latausta. Myös energiaintensiiviset prosessit, kuten kryptovaluutoiden louhinta, kuluttaisivat vähemmän energiaa ja tuottaisivat siten myös pienemmän hiilijalanjäljen.
Mikropiirit voisivat myös lisätä laajemmin IoT- ja reunalaskentaa hyödyntäviä laitteita. Pieni energiankulutus hyödyttäisi itsenäisesti toimivia laitteita, jotka joutuisivat toimimaan hyvinkin karuissa olosuhteissa. Näitä voisivat olla esimerkiksi valtameripoijut, autonomiset ajoneuvot ja avaruusalukset.