Samsung rakentaa suuren puolijohdetehtaan Texasin osavaltioon Yhdysvaltoihin
Arviolta 15 miljardia euroa maksava tehdas luo arviolta 1800 uutta työpaikkaa Taylorin kaupunkiin. Tehtaan on tarkoitus aloittaa tuotanto vuoden 2024 aikana.
Kalle Keinonen
25.11.


Elektroniikkajätti Samsung rakentaa uuden edistyksellisen puolijohdetehtaan Texasiin. The Wall Street Journalin mukaan Tehdas luo arviolta 1800 uutta työpaikkaa Taylorin kaupunkiin, joka sijaitsee noin 50 kilometrin päässä Austinin kaupungista.
Austinissa sijaitsee entuudestaan Samsungin puolijohdetehdas. Uusi Taylorin puolijohdetehdas olisi suuruudeltaan vajaat 5 neliökilometriä ja siten suurempi kuin Austinin tehdas.

Jätti-investointi maksaa arviolta 17 miljardia dollaria eli noin 15 miljardia euroa.
Samsungin mukaan rakentaminen on tarkoitus aloittaa ensi vuonna ja tuotanto vuonna 2024. Valmistuessaan tehdas tuottaa todennäköisesti mikroprosessoreita sekä Samsungin omaan että muiden yritysten käyttöön. Aiempien raporttien mukaan tehdas voisi käyttää 3 nanometrin tuotantoprosessia.

Taylorin kaupunki tarjosi Samsungin investoinnin tueksi kiinteistöveron helpotuksia seuraavaksi kymmeneksi vuodeksi. Myös Yhdysvallat on päättänyt taloudellisista kannusteista kotimaisen puolijohdeteollisuuden tuotantoa ja innovaatiota varten.
Pula mikroelektroniikasta on vaivannut lukuisia yrityksiä viime aikoina. Intelin toimitusjohtaja Pat Gelsinger on sanonut, että tilanne helpottuu todennäköisesti aikaisintaan vuonna 2023.

Uusi tehdas vastaa puolijohteiden kasvavaan kysyntään. Myös muut suuret puolijohdeyritykset rakentavat uusia tehtaita. TSMC:n ja Sonyn uusi Japanin ja TSMC:n Arizonan puolijohdetehtaat aloittavat tuotannon aikaisintaan vuoden 2024 lopulla.
TSMC on suunnitellut käyttävänsä yli 100 miljoonaa dollaria puolijohdeteollisuuteen seuraavan kolmen vuoden aikana. Intel aikoo käyttää saman verran rahaa investointeihin Yhdysvalloissa ja Euroopassa seuraavan vuosikymmenen aikana.

Kuva Kote Puerto  Unsplash

Suositellut

Uusimmat